Litografie

Litografie je metoda hromadného chemicko-fyzikálního zpracování povrchu, používaná především při vytváření polovodičových struktur (např. integrovaných obvodů). Využívá se tam, kde je potřeba zpracovat jen určitou část povrchu (zpravidla i dost složitě tvarovanou).

Její postup je přibližně následující:

  1. Po vytvoření vhodného povrchu a jeho případné úpravě (leptání, broušení, oxidace apod.) je na něj nanesena tenká vrstva tzv. rezistu, což je chemická substance, která má citlivost na určitý podnět takového druhu, že se změní její rozpustnost v určitém rozpouštědle. Například může být citlivá na světlo nebo elektrony, které v místě dopadu vytvoří nový typ vazby (nebo naopak vazby rozruší).
  2. Nyní je rezist ozářen v místech, která nemají být odstraněna. Ozáření je zpravidla provedeno z plošného zdroje přes stínící masku, ale může být rovněž použito nějaké rastrovací zařízení s bodovým zdrojem.
  3. Na rezist je nanesena vrstva leptadla, které působí jen na neozářená místa, ozářená ponechá beze změny. Zde je důležité jednak aby leptadlo leptalo především směrem dolů, jinak by se vyleptala i ozářená místa, jednak aby nepůsobilo na původní povrch. Po vyleptání je k dispozici původní povrch, krytý v patřičných místech vrstvou ozářeného nerozpuštěného rezistu.
  4. Nyní se provede technologická operace, kvůli níž se to vše dělalo. Je však nutné, aby zbylá vrstva rezistu byla pro danou operaci "nepropustná". Příkladem operace může být vyleptání původního povrchu nebo nanesení nové vrstvy.
  5. Posledním krokem je odstranění ozářeného rezistu a omytí povrchu.

Poznámka: Je samozřejmě možný i opačný postup, při němž budou odstraněna místa neozářená. V tomto případě je nutno změnit typ rezistu (chemické složení).

Na obrázku je ukázán postup a využití litografie při vytváření dotované vrstvy v polovodiči pomocí implementace (vstřelování urychlených atomů) arsenu.

Obr. Princip litografie